| 沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄毅文.超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析[J].高技术通讯(中文),2011,21(1): |
| 超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析 |
| Design and analysis of an ultra-wideband SiGe HBT low noise amplifier |
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| DOI： |
| 中文关键词: 低噪声放大器(LNA);SiGe异质结双极晶体管;超宽带(UWB);阻抗匹配;噪声系数 |
| 英文关键词: |
| 基金项目:国家自然科学基金，北京市自然科学基金，国家公派专项研究生奖学金项目 |
| 沈珮,张万荣,金冬月,谢红云,黄毅文 |
| 北京工业大学电子信息与工程控制学院,北京,100124 |
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| 中文摘要: |
| 设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配,同时不牺牲偏置.最终设计出的LNA版图面积仅为0.144mm2.仿真实验显示,在3.1～10GHz超宽频带内,新型UWB LNA实现了低于4.5dB的噪声系数、高达20dB的增益(增益平坦度仅为1.032dB),小于1.637的输出端驻波比,大于2.3的稳定因子.此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义. |
| 英文摘要: |
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