| 陈准,冯军,王远卓.10Gb/s 035μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计[J].高技术通讯(中文),2010,20(7):750~753 |
| 10Gb/s 035μm SiGe BiCMOS伪差分共基极输入前端放大电路的设计 |
|
| |
| DOI： |
| 中文关键词: 光纤通信， 前置放大器， 限幅放大器， Cherry Hooper结构， 0.35μm SiGe BiCMOS 工艺， 共基极 |
| 英文关键词: |
| 基金项目:863计划(2006AA01Z284)资助项目 |
| 作者 | 单位 | | 陈准 | 东南大学射频与光电集成电路研究所 | | 冯军 | 东南大学射频与光电集成电路研究所 | | 王远卓 | 东南大学射频与光电集成电路研究所 |
|
| 摘要点击次数: 3045 |
| 全文下载次数: 2752 |
| 中文摘要: |
| 采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS 工艺设计实现了应用于10Gb/s速率级光接收机的前端放大电路。该电路由前置放大器与限幅放大器构成，两者均采用了差分电路形式。前置放大器由共基输入级和带并联负反馈的放大器组成。跨导放大器中的基本放大器采用共集 共发 共基的组合结构扩展带宽。限幅放大器采用两级 Cherry Hooper 结构。芯片面积仅为047mm2。测试结果表明，在33V的供电电压下，总功耗为158mW。在输入电压信号25mV时，可以得到清晰对称的眼图。 |
| 英文摘要: |
| |
|
查看全文
查看/发表评论 下载PDF阅读器 |
| 关闭 |
