杜智超,张旭,刘鸣,陈弘达.低功耗高集成度CMOS神经信号放大器[J].高技术通讯(中文),2014,24(1):104~110 |
低功耗高集成度CMOS神经信号放大器 |
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DOI: |
中文关键词: 神经信号放大器,T型电容反馈网络,高集成度,输入阻抗,低功耗 |
英文关键词: |
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作者 | 单位 | 杜智超 | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 | 张旭 | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 | 刘鸣 | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 | 陈弘达 | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 |
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中文摘要: |
针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器。它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面积。芯片每个通道的中频增益为40.6dB,直流增益为0 dB。其-3dB高频截止频率为5kHz,而其低频截止频率可以通过调节晶体管的栅电压而进行优化。在供电电压为±1.65V的情况下,芯片在记录多通道局部场电位(LFPs)时,从1Hz到10kHz频率积分得到的输入参考噪声为4.99 μVrms,其每通道功耗为19.8μW。芯片总面积为2062.5μm×525.7 μm,平均每通道0.02 mm2,由0.35 μm CMOS N well 2P4M 工艺实现。相比于传统结构的CMOS神经信号放大器,该设计在集成度及功耗上占优势。 |
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