文章摘要
丁春宝,张万荣,金冬月,谢红云,陈亮,沈佩,张东晖,刘波宇,周永强,郭振杰.基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计[J].高技术通讯(中文),2012,22(10):1070~1076
基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计
Design of SiGe HBT UWB low noise amplifier based on darlington cascode structure
  修订日期:2011-10-25
DOI:10.3772/j.issn.1002-0470.2012.10.011
中文关键词: 低噪声放大器(LNA), SiGe异质结双极晶体管(HBT), 电阻反馈, 线性度, 共射—共基放大器
英文关键词: words:low noise amplifier (LNA), SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT), resistance feedback, linearity, Cascode
基金项目:国家自然科学基金(60776051,61006044,61006059)和北京市自然科学基金(4082007,4122014)资助项目
作者单位
丁春宝 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
张万荣 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
金冬月 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
谢红云 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
陈亮 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
沈佩 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
张东晖 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
刘波宇 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
周永强 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
郭振杰 北京工业大学电子信息与控制工程学院 
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中文摘要:
      详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC 0.35μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA)。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感 电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5~20 dB,增益平坦度为±0.25dB;输入、输出匹配良好;线性度为-5~-2dBm;在整个频段内,无条件稳定。
英文摘要:
      
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