| 张立军,吴晨,王子欧,毛凌锋.采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计[J].高技术通讯(中文),2014,24(2):171~176 |
| 采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计 |
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| DOI： |
| 中文关键词: 静态随机存储器（SRAM），低功耗，钳位二极管，漏电流 |
| 英文关键词: |
| 基金项目: |
| 作者 | 单位 | | 张立军 | 苏州大学城市轨道交通学院 | | 吴晨 | 苏州秉亮科技有限公司 | | 王子欧 | 苏州大学城市轨道交通学院 | | 毛凌锋 | 苏州大学城市轨道交通学院 |
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| 中文摘要: |
| 给出了一种设计低功耗静态随机存储器（SRAM）的技术，实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗。该技术采用源极偏压结构控制漏电流，将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间，当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作，而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压，降低漏电流的同时保证了数据的稳定性；对SRAM结构进行独特的布局，引入Z译码电路，极大地减少每次操作时激活的存储单元数量，明显降低动态功耗；将power gating技术与高阈值(high Vth)器件相结合的低功耗设计应用于外围电路，进一步降低漏电流。基于UMC 55nm SP CMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片，测试结果证明了该技术的有效性与可靠性。 |
| 英文摘要: |
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