| 周涛,陆晓东,吴元庆,李媛.高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究[J].高技术通讯(中文),2015,25(12):1076~1082 |
| 高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究 |
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| DOI： |
| 中文关键词: 背接触， 太阳电池， 电阻率， 发射区， 表面浓度， 结深， 刻蚀， 热击穿 |
| 英文关键词: |
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| 中文摘要: |
| 基于非等温能量平衡传输模型，利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（IBC）单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射区表面浓度、发射结结深对IBC电池反向热击穿特性和转换效率的影响。借鉴双极功率半导体器件的抗二次击穿技术并应用于IBC电池，详细分析了发射区边缘刻蚀结构对IBC电池反向热击穿特性的影响。仿真结果表明：高晶硅衬底电阻率、低发射区表面浓度有利于改善IBC电池的反向热击穿特性，但不利于电池转换效率的提高。深结发射区不仅有利于改善IBC电池的热击穿特性，而且有利于电池转换效率的提高。当发射区边缘柱面结未被完全刻蚀时，不具有改善IBC电池反向热击穿特性的作用。当发射区边缘柱面结被完全刻蚀时，随着横向刻蚀距离的增大，热击穿临界电压增大。 |
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